立式磁控鍍膜生產(chǎn)線(xiàn)設(shè)備簡(jiǎn)介

★該立式磁控鍍膜生產(chǎn)線(xiàn)可鍍的工藝膜系有：金膜、銀膜、鋁膜、鈦金膜、不銹鋼膜等單質(zhì)膜和氧化膜、復(fù)合膜、增透膜、增亮膜、光學(xué)膜、ITO導(dǎo)電膜、EMI屏蔽膜等等。設(shè)備能生產(chǎn)的產(chǎn)品有銀鏡、鋁鏡、彩色玻璃、工藝玻璃、光伏玻璃、光電玻璃、ITO導(dǎo)電玻璃、非導(dǎo)玻璃等，以及PC、PVC、PET等材料表面鍍AR、AF、ITO、非導(dǎo)等膜和金屬單質(zhì)膜等工藝。設(shè)備主要應(yīng)用在手機(jī)鏡片和手機(jī)后蓋鍍膜、電子、電器、軍工、家電、五金、玩具、汽車(chē)、建筑、建材、燈飾、裝飾等眾多行業(yè)領(lǐng)域。本設(shè)備的優(yōu)點(diǎn)：抽速快及穩(wěn)定、產(chǎn)量高、特殊的傳動(dòng)結(jié)構(gòu)運(yùn)行平穩(wěn)不卡頓（吸收進(jìn)口設(shè)備精華）。高真空部分可根據(jù)客戶(hù)實(shí)際需要全選擇油擴(kuò)散泵或分子泵，或兩者搭配使用；設(shè)計(jì)有防返油機(jī)構(gòu)，減少對(duì)產(chǎn)品的污染；使用國(guó)內(nèi)或國(guó)外知名品牌真空泵機(jī)組，加上人性化結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)理念和智能控制及顯示系統(tǒng)，使設(shè)備盡善盡美。

★工藝氣體：氬氣、氧氣、氮?dú)獾?，具體看生產(chǎn)的產(chǎn)品而定。

★靶材材質(zhì)：金、銀、銅、鋁、鈦、鋯、硅、鎳、鉻、錫、銦、鈮、不銹鋼等或錫銦、硅鋁、鎳鉻等合金。

★磁控濺射電源：直流電源、中頻電源、射頻電源、離子轟擊電源、離子源電源（按客戶(hù)需要而定）

★該立式磁控鍍膜生產(chǎn)線(xiàn)的結(jié)構(gòu)：有3室4鎖、5室4鎖、5室6鎖、7室6鎖、9室8鎖。

上片平移臺(tái)（上片）-----前粗抽室（進(jìn)片室、帶轟擊、粗抽真空泵機(jī)組）-----前高真空室（精抽真空泵機(jī)組）-----前過(guò)渡室-----鍍膜室1、2、3（鍍膜室的個(gè)數(shù)按工藝而定，精抽真空泵機(jī)組、磁控濺射陰極靶、氣體系統(tǒng)）-----后過(guò)渡室-----后高真空室（精抽真空泵機(jī)組）-----后粗抽室（粗抽真空泵機(jī)組）-----下片平移臺(tái)（下片臺(tái)）-----回流架1、2、3------連接到上片平移臺(tái)（如此循環(huán)工作）。

★該立式磁控鍍膜生產(chǎn)線(xiàn)的工作流程：現(xiàn)以7室6鎖為例。

在上片平移臺(tái)處的工件架小車(chē)上掛上或貼上基片-----放氣數(shù)秒并開(kāi)真空鎖1，工件架小車(chē)進(jìn)入到前粗抽室后關(guān)真空鎖1并抽真空、轟擊（有時(shí)需要充入氬氣）----當(dāng)抽到真空度后打開(kāi)真空鎖2后工件架進(jìn)入前高真空室后關(guān)真空鎖2繼續(xù)抽高真空-----達(dá)到一定真空后開(kāi)鎖3并進(jìn)入前過(guò)渡后關(guān)真空鎖3、工件架慢速進(jìn)入鍍膜室1、2、3進(jìn)行磁控濺射鍍膜工作（鍍膜真空度在2×10-1Pa左右，按工藝而定）-----鍍膜結(jié)束后工走到過(guò)渡室-----開(kāi)真空鎖4并進(jìn)入后高真空室關(guān)真空鎖4后停留一定時(shí)間后-----開(kāi)真空鎖5并進(jìn)入后粗抽室后關(guān)真空鎖5、放氣數(shù)秒后開(kāi)真空鎖6-----工件架進(jìn)入到下片平移臺(tái)并下片臺(tái)-----下片結(jié)束后平移到回流架1，工件架從回流架1、2、3------最后送回到上片平移臺(tái)回架處-----平移臺(tái)平移到前粗抽室前真空鎖1前面停留等待上片（如此循環(huán)工作）。

★磁控濺射工作原理：電子在電場(chǎng)的作用下加速飛向基片的過(guò)程中與氬（氧、氮等）原子發(fā)生碰撞，電離出大量的氬（氧、氮等）離子和電子，電子飛向基片。氬離子在電場(chǎng)的作用下加速轟擊靶材，濺射出大量的靶材原子，呈中性的靶原子（或分子）沉積在基片上形成膜層。二次電子在加速飛向基片的過(guò)程中受到磁場(chǎng)磁力的作用下，被束縛在靠近靶面的等離子體區(qū)域內(nèi)，該區(qū)域內(nèi)等離子體密度很高，二次電子在磁場(chǎng)的作用下圍繞靶面作圓周運(yùn)動(dòng)，該電子的運(yùn)動(dòng)路徑很長(zhǎng)，在運(yùn)動(dòng)過(guò)程中不斷的與氬原子發(fā)生碰撞電離出大量的氬離子轟擊靶材，經(jīng)過(guò)多次碰撞后電子的能量逐漸降低，擺脫磁力線(xiàn)的束縛，遠(yuǎn)離靶材，最終沉積在基片上。磁控濺射就是以磁場(chǎng)束縛和延長(zhǎng)電子的運(yùn)動(dòng)路徑，改變電子的運(yùn)動(dòng)方向，提高工作氣體的電離率和有效利用電子的能量。磁控濺射的基本原理是利用 Ar一02或N2混合氣體中的等離子體在電場(chǎng)和交變磁場(chǎng)的作用下，被加速的高能粒子轟擊靶材表面，能量交換后，靶材表面的原子脫離原晶格而逸出，轉(zhuǎn)移到基體表面而成膜。