廣東真空設(shè)備鍍膜薄厚均勻度完全取決于：

1、硅片材料和濺射靶材的晶面配對水平

2、硅片外表溫度

3、揮發(fā)輸出功率，速度

4、真空值

5、廣東真空設(shè)備鍍膜時(shí)長，薄厚尺寸。

成分均勻度：

揮發(fā)鍍膜成分均勻度并不是非常容易確保，實(shí)際能夠管控的影響因素齊上，但由于基本原理限制，對非單一成分鍍膜，揮發(fā)鍍膜的成分均勻度不太好。

廣東真空設(shè)備鍍膜晶向均勻度：

1、晶格常數(shù)契合度

2、硅片環(huán)境溫度

3、蒸發(fā)速率

二、.針對磁控濺射類鍍膜，可以將其解讀為運(yùn)用電子器件或高能激光躍遷濺射靶材，從而使表層成分以原子團(tuán)或正離子方式被磁控濺射出去，而且附著在硅片表層，歷經(jīng)涂膜全過程，產(chǎn)生塑料薄膜。磁控濺射鍍膜又分好幾種，整體看，與揮發(fā)鍍膜的不同之處取決于磁控濺射速度將成為基本參數(shù)之一。磁控濺射鍍膜里的激光器磁控濺射鍍膜pld，成分均勻度非常容易維持，而原子尺度厚度均勻度相對性較弱（畢竟是單脈沖磁控濺射），晶向（外側(cè)）生長發(fā)育控制也比較一般。以pld為例子，要素主要包括：濺射靶材與硅片的晶面配對水平、鍍膜氣氛（低壓氣體氣氛）、硅片環(huán)境溫度、激光器功率、脈沖頻率、磁控濺射時(shí)長。針對不同的磁控濺射材料及硅片，主要參數(shù)必須試驗(yàn)明確，是不盡相同的，鍍膜機(jī)器設(shè)備的好與壞主要體現(xiàn)在能不能精準(zhǔn)溫度控制，能不能確保好一點(diǎn)的真空值，能不能確保好一點(diǎn)的真空腔潔凈度。MBE分子束外側(cè)鍍膜技術(shù)性，早已好一點(diǎn)的克服了以上所屬難題，但是基本用以實(shí)驗(yàn)研究，工業(yè)化生產(chǎn)中比較常見的一體式鍍膜機(jī)主要是以正離子揮發(fā)鍍膜和射頻濺射鍍膜為主導(dǎo)。